Все разделы - Технологии - Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек

Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек

12:56:28 14.12.2007

Компания Toshiba разработала технологию, позволяющую в будущем создавать флэш-память с топологическим размером элемента в 10 нанометров, сообщается в пресс-релизе корпорации. Это в несколько раз меньше нынешних элементов.

Новая структура состоит из двух оксидных пленок толщиной в 1 нанометр и нанокристаллов кремния размером в 1,2 нанометра между ними. Она позволяет эффективно удерживать и выпускать электроны.

Технология "двойного туннелирования" (double tunneling) позволит в течение четырех лет создавать микросхемы, на которых умещается до 100 гигабит (12,5 гигабайт) данных, отмечает Tech.co.uk.

В настоящее время такие популярные устройства как плееры Apple iPod используют 16-гигабитные микросхемы памяти. В октябре компания Hynix заявила о том, что сумела разработать 64-гигабитный чип по 30-нанометровой технологии.

Toshiba является вторым в мире поставщиков микросхем флэш-памяти, уступая только Samsung.

Версия для печати | Источник новости

«Предыдущая В раздел Технологии Следующая»

14:38:28 18.12.2007 Израильские ученые создали "нанобиблию"
16:40:41 17.12.2007 Умелец превратил iPhone в видеокамеру
16:50:14 14.12.2007 AMD показала гибрид встроенной и обычной видеокарт
12:56:28 14.12.2007 Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек
11:44:21 14.12.2007 Asus выпустит бамбуковый ноутбук
12:44:03 13.12.2007 Дизайнеры скрестили флэшку с шоколадкой
11:50:05 12.12.2007 Игрушками Sega можно будет управлять силой мысли

Рекламодателям

Добавить ресурс

Вход для владельцев ресурсов

Создание сайта: Smartsoft