Американские и корейские исследователи разработали простую методику, позволяющую создавать высокопроизводительные интегральные схемы, которые можно складывать и растягивать. Они опубликовали статью о своей разработке в журнале Science.Ученые предлагают создавать микросхемы из неорганических материалов для электронных приборов, включающих в себя наноленты монокристаллического кремния, объединенные с подложками из ультратонкого пластика и эластомеров.Основой методики стала технология производства растягивающегося монокристаллического кремния, продемонстрированная группой профессора Джона Роджерса в 2005 году, передает BBC News. Именно тогда ученые расположили кремниевые наноленты на эластичной подложке. На миркоуровне такие ленты имеют волнистую структуру, напоминающую гармошку. Это свойство позволяется им растягиваться в одном направлении, несмотря на то, что кремний остается хрупким твердым материалом.Новая технология сделала возможным создание интегральных схем, растягивающихся в двух направлениях. При этом толщина новых микросхем может составлять всего около полутора микрон, что в сотни раз меньше показателей обычных микросхем.
Американские и корейские исследователи разработали простую методику, позволяющую создавать высокопроизводительные интегральные схемы, которые можно складывать и растягивать. Они опубликовали статью о своей разработке в журнале Science.Ученые предлагают создавать микросхемы из неорганических материалов для электронных приборов, включающих в себя наноленты монокристаллического кремния, объединенные с подложками из ультратонкого пластика и эластомеров.Основой методики стала технология производства растягивающегося монокристаллического кремния, продемонстрированная группой профессора Джона Роджерса в 2005 году, передает BBC News. Именно тогда ученые расположили кремниевые наноленты на эластичной подложке. На миркоуровне такие ленты имеют волнистую структуру, напоминающую гармошку. Это свойство позволяется им растягиваться в одном направлении, несмотря на то, что кремний остается хрупким твердым материалом.Новая технология сделала возможным создание интегральных схем, растягивающихся в двух направлениях. При этом толщина новых микросхем может составлять всего около полутора микрон, что в сотни раз меньше показателей обычных микросхем.